不锈钢真空腔体的功能划分集中，主要为生长区，传样测量区，抽气区三个部分。对于分子束外延生长腔，重要的参数是其中心点A的位置，即样品在生长过程中所处的位置。所以蒸发源，高能电子衍射（RHEED）枪，高能电子衍射屏，晶体振荡器，生长挡板，CCD，生长观察视窗的法兰口均对准中心点。
蒸发源：由钨丝加热盛放生长物质的坩锅，通过热偶丝测量温度，坩锅中的物质被加热蒸发出来，在处于腔体中心点的衬底上外延形成薄膜。每个蒸发源都有其各自的蒸发源挡板控制源的开闭，可以长出多成分或成分连续变化的薄膜样品。
高能电子衍敏RHEED）高能电子衍射是常用的判断衬底及薄膜样品单晶程度的方法。高能电子衍射枪发出电子沿着需要观察的薄膜晶向掠入射在高能电子衍射屏涂有荧光粉）上形成电子衍射条纹。高能电子衍射枪和屏夹角约180度，连线经过中心点。因为薄膜为二维结构，所以其单晶晶格在倒易空间中表现为一系列的倒易棒，高能电子在倒易空间中表现为一个半径很大的球面。两者相切，即得到一系列平行的衍射条纹，间距由薄膜的晶格常数决定。这样的高能电子衍射条纹，就可以证明样品的单晶程度是否良好。
真空腔体
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