选择振荡器时需要考虑哪些因素
选择振荡器时需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。
普通晶振和温补晶振
1、普通晶振
普通晶体振荡器(SPXO)是简单的晶体振荡器,它是由晶体元件与振荡电路按设计要求,集成装配在PCB电路板上并用金属外壳封装而成的频率器件，通常用作微处理器的时钟器件。
2、温补晶振
温度补偿晶体振荡器(TCXO)，在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率精度更高，，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，通常用于通信设备，如手机，GPS定位等。
晶体振荡器的结构
晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件。它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片(在它的两个对应面上涂敷银层作为电极)，还有IC芯片以及相应的电阻电容和微小线路板组成的振荡电路，再加上封装外壳就构成了晶体振荡器，一般简称为晶振。其产品大多用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
不同的工程使用，对晶体振荡器频率的技术性能要求不同。有的要求频率短期稳定度高；有的要求简单好用；有的要求长期稳定性高；有的要求开机后短时间内能稳定工作；有的要求能抗很强的冲击与振动等等。
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FFFFFF;">晶体振荡器作用
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FFFFFF;">每个单片机系统都有晶体振荡器，整个过程称为晶体振荡器。晶体振荡器在单片机系统中起着非常重要的作用。它结合单片机内部的电路，产生单片机所需的时钟频率。单片机所有指令的执行都基于此。晶体振荡器提供的时钟频率基于此。速率越高，微控制器的运行速度就越快。