注意的几个问题是:
1.激光二极管害怕静电,对LD正负极操作的时候必须带防静电护腕了,不然很容易造成静电损伤。
2.他没有给出极限电流的话就只能按照数据单上的工作电流操作,不能超过这个工作电流,不然管子会有电损伤,就是大的电流不能超过31.5mA。
3.注意这两点应该就没有什么问题了,1550nm是一个红外光,是看不到的,测试的功率计需要涵盖这个波段才可以了,一个简单的方式可以拿手机摄像头来看它接通电源后出光了。
DFB半导体激光器的主要封装结构:同轴尾纤封装,TO封装,蝶形封装。其中蝶形封装结构为常见。DFB激光器的主要优点是一种轴向共振器模式优于其他模式。这在所需波长处产生相对窄的单模发射峰(单纵模)。它们的单模波形在诸如气体传感和电信的应用中是特别需要的。它们本质上比大多数其他激光二极管结构更稳定,这意味着它们不会模式跳变。模跳变是法布里-珀罗激光器的一个缺点。DFB通常可以通过改变温度和注入电流实现从其中心波长起数纳米的调节。一般来说,DFB可以在10度温度漂移的情况下调谐到1nm左右。这一特性与它们的窄线宽相结合,使得DFB特别适合于需要调整波长和窄线宽以定位气体吸收线的传感应用。DFB芯片设计:芯片分为P极和N极,当注入p-n结的电流较低时,只有自发辐射产生,随电流值的增大增益也增大,达阈值电流时,p-n结产生激光。半导体激光器激光器优点是体积小,重量轻,运转可靠,耗电少,效率很高等特点。半导体激光器的发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高半导体激光器的内、外部效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连,然后其顶部用环氧树脂包封。一般情况下,半导体激光器的发光波长随温度变化为0.2-0.3nm/℃,光谱宽度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右,封装散热;时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是,半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加,目前,很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA,需要改进封装结构,全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外,在应用设计中,PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。原文链接:http://www.ybxx.org/chanpin/32811.html,转载和复制请保留此链接。
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