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工艺关键词:电离惰性气体轰击靶材、靶材脱落沉积冷却成膜

溅镀的原理，是镀膜机腔体抽真空，直接以薄膜材料(靶材)当做电极，利用电极间见通电5KV~15KV产生的电浆轰击靶材，同时通入气体，气体发生离子化，粒子在电浆内移动，离子撞击靶材并使靶材表面原子脱离进而沉积在基板上，冷却浓缩成薄膜。

磁控溅镀

在直流溅镀或射频溅镀的基础上改进电极结构，亦即再把阴极内侧装置一磁铁，并使磁场方向垂直于极暗区电场方向，以便用磁场约束带电粒子的运转，这种溅射法称为磁控溅射。

由于磁场的作用力与电子的运转方向垂直，将形成电子回旋运动的向心力，此时中性物种间的撞击机率提高，始之在较低的压力下即能制作薄膜。

除了低压外，磁控溅射的另两项有优点就是高速，低温，因此也称之为高速低温溅镀法。

但是磁控溅镀也存在一些问题，如就平板磁控电极磁控电极而言，靶材中央及周边不为垂直于电厂的磁场分量越来越小，亦即与靶材表面平行的磁场分量小，使得在靶材表面的一个环形区域被溅射的异常快，而中央和边缘处溅射的少，如此下去便会出现W形侵蚀谷，使的靶材利用率降低，并且可能对薄膜的均匀性产生影响。

将活性气体引入到真空镀膜室通过活性气体的原子（分子）与蒸发源中蒸发出来的原子发生化学反应，生成化合物涂层的方法，称为反应蒸镀法。反应即可在气态空间中，也可在基片表面上进行，也可以两者兼有。其中以在基片上进行反应为主。反应的进行通常与反应气体的分压、蒸发温度、蒸发速度以及基片温度等因素有关，所获得的涂层可以是金属合金，也可以是化合物。目前，这种方法已经广泛应用于制备绝缘化合物膜层上。

另一个典型的例子，就是制备SiO2薄膜，如下图所示，它是在通常的真空蒸镀设备中引入O2。O2的引入方法较多，一般多采用通过泄露阀引入空气的方法。但是需要准确地确定SiO2的组成时，就应当采用从氧气瓶中引入O2或者选用图在坩埚中加入NA2O的粉末进行加热、分解产生的O2碰撞到基片上。这种方法与双蒸源法的不同点，在于活性气体分子与在这种情况下反应生成的气体分子，都能自由在蒸镀空间飞来飞去。从蒸发源出来的分子，就通过这些分子几乎是直接到达基片上。