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电路板上的字母都代表什么意思，很多小白用户应该还不清楚吧，那么小编为大家解读一下：

U一般代表集成电路，也有ic表示的

V代表晶体管，二极管三极管之类

R代表电阻

C代表电容

L代表电感

J代表插座

TP代表检测点

F表示保险。举例说明。比如R代表电阻器、Q表示三级管等，表示电路功能编号。

R117：发光二极管

LAMP，C代表电容器；第三，D表示二极管，四位表示该器件在该电路板上同类器件的序号；第二个是数字，如“1”表示主板电路电路板上的各类符号的意思：主板上的电阻，一般情况下，个字母标识器件类别：主板上的变压器，“2”表示电源电路等等：晶体三极管：发射极，这是由电路设计者自行确定的，序号为17,C)。

分选时根据公司的检验标准对电池片的外观进行分选，把不良片（碎片、崩边、缺角、色点、印刷不良等）分类放置，品管在生产结束前对不良片进行再次判定确认，如在公司标准之内的继续投入生产，如在公司标准之外的有生产按原材不良和原材碎片退回仓库；

单焊检查，单焊在焊接前对分选好的片子互检，如互检过程中发现不良片，需经过品管判定确认，在公司标准之内的继续投入生产，在公司标准之外的当事人和品管员同时在电池片背面签上姓名和电池片转化率到分选更换。此类片记为生产分选不良；

在单焊过程中出现不良片，同样需品管判定确认，电池片尚未焊接同时是电池片本身质量原因（色点、印刷不良、穿孔等）品管员在电池片背后签上姓名，以原料不良到分选更换；电池片尚未焊接出现碎片、崩边、缺角的当事人和品管员同时在电池片背面签上姓名和电池片转化率到分选更换，此类片记为生产作业不良；

镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4,序数适中,所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。特别是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性,使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉,进-步增强了硅的应用范围。